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在ICSCRM 2007（2007碳化硅及其相关材料国际会议）上，众多与会者异口同声地赞叹碳化硅衬底厂商巨头美国Cree发布的新成果。Cree已开始供应无微管 （中空贯通缺陷）的直径为100mm（4英寸）的SiC衬底。由于元件厂商的大部分生产线支持直径100mm以上的晶圆，所以直径100mm以上的高品质 碳化硅衬底备受期待。
Cree开始供应的是n型4H-SiC衬底。强调实现了“无微管”，微管的存在密度为平均0.7个/cm2，最好数据为0.06个/cm2。 存在密度为 0.7个/cm2时，相当于制作芯片面积为1cm2见方的大电流驱动元件时，能够确保65％成品率。与众多碳化硅元件技术人员所说的“还没有进入讨论成品 率的阶段”的情况相比，Cree可谓取得了巨大的进展。
更让与会者惊讶的是，该公司已经将“下一个开发课题”的削减位错缺陷提高到了相当高的水准。对于引起元件成品率下降的“贯通螺旋位错缺陷 （threading screw dislocation）”，在3英寸（直径76mm）晶圆的情况下，被平均削减到375个/cm2，最好数据可达175个/cm2。这意味着在生产耐压 10kV级别的碳化硅二极管时，具有61.5％成品率。