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多晶硅从垄断竞争转向充分竞争

关键词 多晶硅|2009-03-12 00:00:00|涂附新闻|来源 中国涂附磨具网
摘要 从垄断竞争到充分竞争:高纯多晶硅最初主要用于半导体领域,自2004年以来受晶体硅太阳能电池需求拉动而出现供不应求,致使多晶硅价格持续上涨并带来暴利,暴利的诱惑下产业壁垒被攻克(资金...

从垄断竞争到充分竞争:高纯多晶硅最初主要用于半导体领域,自2004年以来受晶体硅太阳能电池需求拉动而出现供不应求,致使多晶硅价格持续上涨并带来暴 利,暴利的诱惑下产业壁垒被攻克(资金+技术),大量的新增产能不断涌现。当越来越多的厂商掌握了生产技术,行业出现超额利润时供应商能够迅速扩产,多晶 硅行业从之前的寡头垄断格局,转向充分竞争格局。自2008年四季度以来,多晶硅价格步入下跌通道。
  2009年供需逆转,2010年行业洗牌:大部分08年新增产能投产于08年底,这些产能将冲击2009年多晶硅市场。自2008年四季度以 来,由于金融危机影响了下游光伏需求,许多曾出台庞大扩产计划的多晶硅制造商必将推迟或取消其部分后期项目,而目前已经在建产能将陆续于 2009-2010年投产。通过分析全球的多晶硅项目供给及需求状况,我们判断2009年全球多晶硅供需逆转,而随着在建项目于2010年再度冲击市 场,2010年将发生无情的洗牌。
  新技术路线的冲击不可忽视:以改良西门子法为代表的传统工艺是当前高纯多晶硅的主要生产方法,占据着80%的份额。而以硅烷法、冶金法为代表 的新兴技术正在逐步的成熟中,这些新方法直接瞄准太阳能级的多晶硅,相对传统工艺而言成本大幅降低。新技术的突破及扩产,将给现有行业格局带来影响。需要 密切关注冶金法的提纯纯度,若能量产6N级,则足以对行业形成较大冲击。
  

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